消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。

传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制，难以突破500层门槛。三星创新的CMB技术，先独立制造两片450层3D NAND晶圆，再通过高精度键合工艺合二为一，直接将堆叠层数翻倍至900层，打破传统工艺的物理瓶颈。

为保障原型良率与稳定性，三星同步攻克多项关键技术：采用上部卡盘（Upper Chuck） 设计解决高层堆叠晶圆翘曲问题；通过新型套刻校正技术将键合对准误差控制在纳米级；优化位线（BL）与字线（WL）结构，在提升存储密度的同时，降低芯片功耗与尺寸。

从市场格局看，当前量产市场最高层数为SK海力士的321层4D NAND，三星计划2026年下半年量产400层以上第十代V-NAND（V10）。此次900层原型的落地，使三星在研发端与竞品拉开显著差距，为AI服务器、数据中心SSD及高端智能手机等高密存储需求场景奠定技术基础。

业内分析指出，900层3D NAND可在相同芯片尺寸下实现近3倍于当前主流产品的存储容量，同时能效比大幅提升，能有效降低AI数据中心的机柜空间与电力成本。三星明确提出2030年实现1000层NAND的长期目标，CMB技术将成为其达成目标的核心路径。

目前该产品仍处于实验室原型阶段，尚未公布具体量产时间表。但这一突破已重塑全球闪存技术竞争格局，三星凭借“量产+研发”双线并进策略，进一步巩固在高端存储市场的主导地位，同时为应对全球存储厂商的技术追赶构筑高壁垒。