来源:全球半导体观察
2026年5月23日,东芯半导体股份有限公司(简称“东芯股份”)发布官方公告,公司已于5月22日召开第三届董事会第十二次会议,审议通过发行境外上市股份(H股)并在香港联交所主板挂牌上市的相关议案,正式启动“A+H”两地上市进程。
据上交所披露的公告,东芯股份本次H股上市核心目的明确,旨在进一步提升资本实力与综合竞争力,深化全球化战略布局,同时面向国际资本市场拓宽融资渠道,构建多元化资本运作平台。本次发行H股数量(未行使超额配售权时)不超过公司总股本的10%,并授予承销商不超过发行规模15%的超额配售权,募资将重点用于核心技术研发、产能扩充及海外市场布局完善。
东芯股份作为国内少数可同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业,产品广泛覆盖网络通信、安防监控、消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
2026年一季度,公司业绩实现高速增长,营收达4.79亿元,同比增幅236.95%,归母净利润1.38亿元,同比扭亏为盈,受益于半导体行业景气度回升及中小容量存储市场结构性紧缺态势。
截至目前,东芯股份已启动H股上市筹备工作,正积极与中介机构推进后续事宜,同时完成《公司章程(草案)》及19项内部治理制度修订,适配A+H双重上市监管要求。本次发行上市尚需提交股东大会审议,并需获得中国证监会、香港联交所等境内外监管机构的批准或备案,最终实施存在不确定性。