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【存储器】美光:年底前DRAM及NAND Flash存储器都缺货

来源:中时电子报    原作者:涂志豪    

存储器大厂美光科技(Micron)昨(27)日召开2017年会计年度第4季(2017年6月至8月)法说会,非一般公认会计准财(Non-GAAP)每股稀释盈余2.02美元,优于市场预期,美光在北京时间27日晚上开盘后,截至11点为止大涨了7.9%。

美光执行长Sanjay Mehrotra在法说会中亦明白表示,今年底前DRAM及NAND Flash都将呈现供不应求的缺货状态。

受惠于DRAM及NAND Flash价量齐扬,美光2017年会计年度第4季的Non-GAAP财报大幅超标,营收季增10%达61.38亿美元,较去年同期大增约91%,平均毛利率冲上51%,税后净利季增26%达23.86亿美元,与去年同期亏损情况相较不仅由亏转盈,获利还大幅超越市场预期,单季每股稀释盈余2.02美元。

美光对于2018年会计年度第1季(2017年9月至11月)的展望同样明显优于市场预期。营收预估介于61~65亿美元之间,优于市场普遍预估的60.6亿美元,平均毛利率介于50~54%,营业利益预估介于26.5~28.5亿美元之间,每股稀释盈余预估介于2.09~2.23美元之间,优于市场普遍预估的1.85美元。

美光执行长Sanjay Mehrotra在法说会中表示,美光1x纳米DRAM、64层3D NAND的生产计划顺利进行,预估今年底前良率可达成熟稳定阶段。由产业来看,今年DRAM市场位元成长率仅20%,NAND Flash位元成长率仅30~40%之间,均低于市场需求成长幅度,所以预期至今年底前,DRAM及NAND Flash都将供不应求,而且良性的产业基本面会延续到明年。

Sanjay Mehrotra也对2018年存储器市场提出看法,其中DRAM产业位元成长率仍然只在20%左右,在云端运算等需求维持强劲情况下,将维持健康的供需平衡状态。至于NAND Flash在各家业者的3D NAND产能陆续开出下,位元成长率将提升到50%左右,可望满足目前的市场供给缺口。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)昨日表示,2017年NAND Flash产业需求受到智能手机搭载容量与服务器需求的带动,加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下,供不应求的状况自2016年第3季起已持续6个季度。2018年NAND Flash位元供给端将增加42.9%,需求端将成长37.7%,整体供需状况将由2017年的供不应求转为供需平衡。

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