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【存储器】Rambus揭露下一代存储器速度 DDR5与HBM3频宽再翻倍

来源:T客邦       

Intel Pentium 4发售初期,因为市面没有其他足以匹配FSB前端汇流排速度的存储器,而选择采用较不常见的RDRAM搭配,其后的主要技术来源即为Rambus公司。近日Rambus在一场投资者会议谈到未来存储器趋势,DDR5和HBM3传输速度相较现行产品均翻倍。

如果大家还记得Rambus公司,可能都是较为负面的消息,但这家公司手上依然有许多存储器技术专利,虽然主导的RDRAM无论在消费或企业市场都以失败收场,每年却靠这些专利拥有破亿美元的授权收入,在技术上依然有其领导地位。

根据ComputerBase网站的消息,Rambus近日于投资者会议稍微透露下世代存储器的规格,HBM3将使用7纳米制程制造,具备4000Mbps传输速度,DDR5同样使用7纳米,预期将有4800Mbps~6400Mbps的传输速度。这些单pin针脚传输传输速度,若是乘上1024bit和64bit的汇流排位元宽度,则最高相当于500GB/s和50GB/s。

Rambus揭露下一代存储器速度 DDR5与HBM3频宽再翻倍

▲HBM3和DDR5预计最高频宽均能翻倍。(Source:ComputerBase)

现在谈下世代存储器速度只是展望,HBM2在显示卡市场还不是相当普及,DDR4在AMD和Intel 2家的标准支援速度也才刚刚跨过等效2666MHz门槛,还没有达到JEDEC制定的最高规格3200MHz。Rambus所提的7纳米制程,预计还要经过好几年才有办法进入量产阶段。

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