20纳米量产 南亚科Q4销售或季增15%

南亚科技第四季提前一季全产能投产20纳米制程，12月20纳米位元产出已超过30纳米，将拉升本季整体位元产出成长约15%，明年全年位元产出比今年成长预估可达45%。并持续开发20纳米新产品线扩大市场。

南亚科本季20纳米投片可达3.8万片/月，晶圆产出逾2万片/月产能，12月时，20纳米位元产出已超过30纳米；20纳米加30纳米总产能为6.8万片/月。

产品推出时程方面，继2017年第2季完成首颗4Gb DDR3产品验证并量产，2017年第4季正式量产8Gb DDR4，12月开始出货，预计2018年下半年导入8Gb LPDDR3及4Gb 4Gb LPDDR4X。

DRAM市况续热，且在20纳米本季大量产出带动，南亚科2017年第4季位元销售量季增率将大幅增长。明年20纳米全产能投产及产出效益带动，2018年位元产出比今年成长估达45%。

南亚科将持续开发20纳米新产品线，进入多元化市场，包括将以20纳米DDR4 8Gb拓展资料中心服务器等应用市场。

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