宇瞻张家騉：Q2 NAND价格出现超跌 Q3有望回升

来源：中时电子报原作者：沈培华 2018-05-17 08:45:00

存储器模组厂宇瞻科技总经理张家騉保守看待今年NAND Flash市况，他认为，第二季价格出现超跌，第三季价格才可望回升，否则第三季报价将仅持平表现。

张家騉表示，因市场有次级品流窜影响，储存型快闪存储器(NAND Flash)市场有价格竞争的状况，目前产品价格已经呈现下跌中。

展望第三季时序将步入智能手机传统备货旺季，惟3D NAND Flash制造厂的良率可望逐步提升，实际产出可望增加，第三季NAND Flash价格能否止跌反弹，前提是第二季价格超跌。目前部分NAND Flash标准型产品规格有超跌的现象。

相对来看，宇瞻总经理张家騉看今年DRAM市况相对乐观，合约价预估将续涨至第三季，服务器需求动能为关键因素，明年要观察供给面变化，随着三星等大厂扩产，价格有机会下修。

宇瞻于第一季法说会时，张家騉即对动态随机存取存储器(DRAM)后市看法相对正面，预计未来两季DRAM市场没有看到乌云，目前看法并未改变，目前现货价居高不下，合约价在第二季以及第三季预期都将续涨。

张家騉表示，DRAM以及NAND Flash的运用愈来愈多，DRAM今年最大的动能是服务器相关需求，后续DRAM价格走势也与服务器需求息息相关。

在供给面方面，三星等大厂宣布扩产，由于投产至实际产出有时间差，预料明年初起，新增产能可望开始开出，整体市场供给增加，因此，宇瞻预期，明年随着供给增加，DRAM价格有可能出现下修的走势。

如需获取更多资讯，请关注全球半导体观察官网（www.dramx.com）或搜索微信公众账号（全球半导体观察）。

【免责声明】

1、「DRAMeXchange-全球半导体观察」包含的内容和信息是根据公开资料分析和演释，该公开资料，属可靠之来源搜集，但这些分析和信息并未经独立核实。本网站有权但无此义务，改善或更正在本网站的任何部分之错误或疏失。
2、任何在「DRAMeXchange-全球半导体观察」上出现的信息（包括但不限于公司资料、资讯、研究报告、产品价格等），力求但不保证数据的准确性，均只作为参考，您须对您自主决定的行为负责。如有错漏，请以各公司官方网站公布为准。
3、「DRAMeXchange-全球半导体观察」信息服务基于"现况"及"现有"提供，网站的信息和内容如有更改恕不另行通知。
4、「DRAMeXchange-全球半导体观察」尊重并保护所有使用用户的个人隐私权，您注册的用户名、电子邮件地址等个人资料，非经您亲自许可或根据相关法律、法规的强制性规定，不会主动地泄露给第三方。

「DRAMeXchange-全球半导体观察」所刊原创内容之著作权属于「DRAMeXchange-全球半导体观察」网站所有，未经本站之同意或授权，任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部，亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。