3大动能驱动，力成Q3营运续拼高峰

存储器封测厂力成昨（24）日召开法说会，展望后市，随着时序进入传统旺季，总经理洪嘉鍮对第三季营运维持乐观看法，表示虽然动能将不若第二季强劲，但在Flash、固态硬盘（SSD）、逻辑IC需求强劲带动下，可望带动力成第三季营运续扬、再创新高。

其中，第二季已展现出色成长的NAND Flash，洪嘉鍮预期第三季成长幅度将远高于上半年，为力成第三季营运重要动能。他指出，首季时已透露今年Flash产能将增加2成，上半年已完成新产能建置，准备迎接下半年Flash和SSD的旺季需求。

展望第三季市况，洪嘉鍮表示，终端产品的主要成长动能来自手机、数据中心、通讯及车用产品，至于PC、NB及平板需求仍疲，仅轻薄笔电（Ultrabook）需求强劲。而在电竞、数位电视、机上盒及物联网相关需求带动下，消费型产品整体需求仍乐观看待。

DRAM方面，洪嘉鍮指出，目前市场价格和供给状况已平衡，可望带动服务器、数据中心及行动装置的存储器需求，应用在绘图、电竞以及数位电视、机上盒、物联网相关等消费型产品的利基型DRAM需求亦乐观看待。

Flash部分，洪嘉鍮表示，目前市场供需吃紧状况已舒缓，价格虽因此下跌，但价量稳定反有利于封测厂接单，有助提升行动装置的嵌入式多芯片封装/存储器（eMCP/eMMC）需求，以及SSD在服务器、数据中心、云端运算的渗透率提升。

逻辑IC方面，洪嘉(鍮指出通讯、消费性、车用等3方面需求均不错，至于虚拟货币等高速运算（HPC）需求因客户进行产品转换，预计第三季需求量会减少，希望能在第三季末反弹，但HPC对力成营收贡献不高，其他产品的需求成长可弥补。

洪嘉鍮对力成第三季Flash业务成长乐观看待，预期用于手机的eMCP/eMMC封装需求增加，SSD需求高成长也将推升Flash需求。逻辑IC业务则可维持稳定成长，传统封装需求可小幅成长，晶圆级封装（WLCSP）及凸块（Bumping）成长幅度则可望加大。

至于DRAM业务则预期维持平稳，虽然绘图用利基型存储器需求仍佳，带动力成积极扩充覆晶（Flip Chip）产能，但西安厂标准型存储器产能几乎满载，消费性电子需求则较弱，行动存储器需求亦因新旧产品交替期影响而看守。

不过，洪嘉鍮表示，许多国内客户的消费型产品已开始转进DDR3，预期明年第四季会逐步放量，届时会有强劲的成长力道。而行动存储器的eMCP后市需求仍强，只是成长时间点较往年有所不同。

洪嘉鍮预期，力成第三季封装稼动率约85～90%、测试约80%，以NAND Flash测试需求最好。今年资本支出估约新台币150亿元，封装、测试估均投资各3成，主要用于NAND Flash预烧测试。董事长蔡笃恭则预期，力成未来每年资本支出估落于新台币150～200亿元区间。

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