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【存储器】三星最新SSD路线图曝光,QLC闪存860 QVO/980 QVO曝光

来源:超能网       

在三星Tech Day会议上,三星不仅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6显存等新工艺、新产品及新技术,SSD方面也更新了路线图,未来的重点就是96层堆栈的3D TLC闪存以及QLC闪存,其中TLC闪存阵容扩大,多款新品性能提升,容量最大可达30.72TB,而QLC闪存无疑是下一步的重点,除了1Tb核心的还会有512Gb核心的,性能更好,功耗更低,消费级的QLC硬盘860 QVO、980 OVO也确定了,不过规格没公布。

Anandtech网站详细介绍了三星SSD产品路线图的变化,首先来看TLC闪存方面的。

TLC闪存创新高

目前64层堆栈3D TLC闪存的970 EVO、PM981将会被新的970 EVO Plus、PM981a取代,容量没变化,依然是250GB到2TB,主要提升在连续写入方面,不过PM981a的随机性能也明显提升了可以达到970 EVO及970 EVO Plus的水平。

用于数据中心SSD市场的PM983将被PM983a取代,容量翻倍,最高可达16TB,可能只有NF1、U2规格,也没有使用SLC缓存,这使得写入速度会比消费级硬盘更低,不过性能依然是有提升的。

PM991将取代NVMe BGA封装的PM971a硬盘,随机性能翻倍,连续读写速度提升了50%。

企业级SAS产品线中,PM1643将会被PM1643a取代,整体变化不大,主要是随机写入性能提升20%,最大容量依然是30.72TB。

最高端的企业级NVMe硬盘升级了新主控及新闪存,支持PCIe 4.0,因此性能大幅提升,PM1723a目前的速度不过3.5GB/s,新的PM1733硬盘可达8GB/s,最大容量也达到了SAS产品线同级别的30.72TB。此外,PM1733还支持双口PCIe,为高可靠性用户带来了更多的选择。

QLC闪存新增512Gb核心颗粒,860 QVO、980 QVO确认

在说具体的QLC产品之前,Anandtch解释了三星的MLC/TLC/QLC硬盘的命名规则,企业级/OEM产品线中,MLC闪存用SM开头,TLC闪存用PM开头,QLC闪存用BM开头。

在SSD产品中,企业级SAS产品线新增BM1653新品,NVMe产品线新增BM9A3、BM1733产品线,客户端NVMe新增BM991产品线,不过三星并没有公布这些QLC硬盘的具体规格。

消费级QLC硬盘中,三星会推出SATA接口的860 QVO、NVMe标准的980 QVO,这些产品在OEM中找不到,因此可以认为是零售市场的新品,不过具体规格还是没公布,发售计划也没有提及。

此外,三星在2019年Q2季度还会推出512Gb核心容量的QLC闪存,虽然容量比现在的1Tb QLC闪存小了,但是延迟降低了37%,功耗降低了45%,这还是三星用它跟别家1Tb核心QLC闪存对比的,如果对比三星自家的1Tb核心QLC闪存,差距只会更大。

三星第二代Z-SSD

三星面向低延迟SSD市场的Z-SSD系列中还会增加第二代产品SZ1733及SZ1735,容量提升到4最大4TB,明显比第一代的SZ985的800GB大得多,它支持PCIe 4.0及双口PCIe,因此连续速度可达12GB/s,不过最重要的随机性能没有提及。

三星还提到二代Z-SSD会有MLC版本,但Anandtech又说这些产品还是SLC版本。

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