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【存储器】DRAM厂放缓扩产 集邦估资本支出减1成

来源:台湾联合新闻网       

动态随机存取存储器(DRAM)厂纷纷放缓扩产脚步,据市调机构集邦科技预估,2019年DRAM产业资本支出金额约180亿美元,将减少1成左右。

集邦科技表示,韩国两大DRAM厂三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)较早宣布放缓2019年投资计划,三星2019年DRAM投资金额约80亿美元,主要用在转换1y纳米制程及新产品开发。

随着平泽厂扩产计划终止,集邦科技预估,三星2019年位元成长率将约20%,将创下历年新低纪录。

SK海力士2019年DRAM投资金额也将降至55亿美元左右,将用以推进制程技术及提升良率,集邦科技预期,SK海力士因中国无锡新厂落成,2019年位元成长率将约21%。

美光(Micron)2019年资本支出将降至30亿美元左右,位元成长率也将降至15%。

集邦科技指出,2018年第4季DRAM合约价下跌约10%,预期受淡季效应影响,2019年第1季价格将再跌15%,第2季价格跌幅可能收敛至10%以内。

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