来源:iThome Online
三星电子(Samsung Electronics)宣布开始量产全球首批基于eUFS 3.0的512GB手机储存芯片,它的连续读取速度达到每秒2,100MB,是1TB eUFS 2.1的2.1倍,为STAT固态硬盘(SSD)的4倍,更是寻常microSD卡的20倍。
联合电子装置技术协会(JEDEC)在去年1月公布了通用快闪存储器UFS 3.0标准,每通道最高的传输速率为每秒11.6Gb,三星继之于去年发表了嵌入式UFS(eUFS)解决方案,但直至二月底才宣布量产。
三星的512GB eUFS 3.0嵌入了8个第五代512Gb V-NAND芯片,亦整合了高效能控制器,提供每秒2100MB的连续读取速度及每秒410MB的连续写入速度,更胜今年1月量产的1TB eUFS 2.1模块,该模块的连续读取速度为每秒1,000MB,连续写入速度则是每秒260MB。
三星表示,以512GB eUFS 3.0传送一部Full HD画质的电影到PC上大概只需3秒钟,而它的写入速度则与SSD相当。
除了在二月开始量产512GB及128GB的eUFS 3.0储存芯片之外,三星亦预计于今年下半年开始生产1TB及256GB的eUFS 3.0芯片。
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