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【存储器】三星推出符合HBM2E规范的Flashbolt内存 可用于GPU

来源:cnBeta       

三星推出了业界首款符合HBM2E规范的内存。该公司新的Flashbolt存储器堆栈将性能提高了33%,并提供每个晶元双倍容量以及每个封装的双倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM,这是一个合适的场合,因为NVIDIA因其广受欢迎的GV100处理器而成为HBM2内存最大的用户之一。

三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器晶元,这些晶元使用TSV(通过硅通孔)以8-Hi堆栈配置互连。每个Flashbolt封装都具有1024位总线,每个引脚的数据传输速率为3.2 Gbps,因此每KGSD可提供高达410GB/s的带宽。

三星将其Flashbolt KGSD定位瞄准下一代数据中心,HPC,AI/ML和图形应用程序。通过使用具有4096位存储器界面的处理器的四个Flashbolt堆栈,开发人员可以获得具有1.64TB/s峰值带宽的64GB内存,这对于容量和带宽需求大的晶元来说将是一个很大的优势。使用两个KGSD,它们可获得32GB的DRAM,峰值带宽为820GB/s。

三星表示自己尚未开始批量生产Flashbolt HBM2E内存,但是已完成该技术的开发。

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