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【存储器】三星宣布推出1Z纳米制程 DRAM,2019 年下半年开始大量生产

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

在动态随机存取存储器(DRAM)制程陆续进入 1X 及 1Y 制程领域之后,全球 DRAM 龙头南韩三星 21 日宣布,首次业界开发第 3 代 10 纳米等级(1Z 纳米制程)8GB 高性能 DRAM。这也是三星发展 1Y 纳米制程 DRAM 之后,经历 16 个月,再开发出更先进制程的 DRAM 产品。

据了解,新一代 1Z 纳米制程 DRAM,三星在不使用极紫外线光刻机(EUV)的情况下打造,这显示三星进一步提高了 DRAM 的生产极限,并拉高竞争对手的生产门槛。随着 1Z 纳米制程产品问世,并成为业界最小的存储器生产节点,目前三星已准备好用新的 1Z 纳米制程 DDR4 DRAM 满足日益成长的市场需求,生产效率比以前 1Y 纳米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示,1Z 纳米制程 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生产时间将落在 2019 下半年,以因应下一代企业服务器需求,并有望能在 2020 年支援新高阶个人计算机。除了提供市场需求,三星还指出,跨入 1Z 纳米制程的 DRAM 生产,将为全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 界面,包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等预做准备。这些具更高容量和性能的 1Z 纳米制程产品将增强三星在市场的业务竞争力,巩固其高阶 DRAM 市场应用的领导地位,包括服务器、图形和行动装置等领域。

另市场消息指出,与一家 CPU 制造商就 8GB DDR4 模块全面验证后,三星将积极与全球客户合作,提供一系列即将面世的存储器解决方案。为了满足目前的行业需求,三星计划增加主要存储器生产比重。

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