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【存储器】长江存储暗示将于年底量产64层3D NAND

来源:全球闪存市场    原作者:Kevin    

据韩媒BusinessKorea最新报道,长江存储 (YMTC) 首席技术官程卫华,近日在接受媒体采访时表示,公司将可能在今年年底前实现64层3D NAND闪存的大规模生产。

“我们有一个大规模生产计划,”程卫华在接受《日经亚洲评论》采访时表示。目前,在中国政府的支持下,长江存储正在武汉建设一座价值240亿美元的半导体工厂,用于大规模生产64层NAND闪存。

程卫华在采访中仅提到:“长江存储的大规模生产NAND闪存的计划进展顺利,没有任何问题。”他并未正式宣布将在今年开始量产64层NAND闪存。不过,行业观察人士表示,程卫华已表示了当公司实现大规模生产计划后,今年将能够生产64层NAND闪存。

目前来看,三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。其实,SK海力士在去年完成研发后,已开始大规模生产96层NAND闪存。三星则计划在今年下半年推出100层NAND闪存。如果长江存储在年底前成功实现64层NAND量产,那么其与三星电子的技术差距将缩短至两年左右。

此外,人们担忧长江存储进入NAND闪存行业后的影响,因为NAND跌价的幅度通常来说会比DRAM更大。另一方面,部分专家仍对长江存储的64层NAND量产保持怀疑态度,因为其未目前并未量产32层的产品。

不过总的来说,与DRAM领域不同,长江存储似乎在NAND领域里正一切进展顺利。如果长江存储今年下半年向市场供应64层闪存,不排除中国政府可能会建议国产智能手机和PC制造商使用国产的NAND闪存。

如果真出现这种情况,那么将严重削弱NAND行业的利润。这正是三星、东芝、美光、SK海力士等闪存制造商所担忧的。

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