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【存储器】新华三携手长江存储,推动闪存芯片与服务器创新融合

来源:新华三       

随着云计算、大数据、物联网等领域的发展,未来市场对存储器的需求会持续增加。有数据显示,我国存储器的消耗量占全球总消耗量的三成以上(2019年第一季度世界半导体贸易统计WSTS 发布的统计数据),其中大部分存储器芯片需要进口,可以说,在中国芯片产业的发展过程中,存储芯片是十分关键的发展领域。

近日,紫光旗下新华三集团正式携手中国闪存芯片领军企业——长江存储,整合中国顶尖的存储芯片资源,共同推动在中国市场自主创新存储芯片的研发与应用,成功地将3D NAND芯片产品融入服务器产品之中,进一步加速了服务器的自主创新之路。

众所周知,芯片是信息时代的粮食,其中存储器芯片应用领域十分广泛。作为中国存储芯片的领头羊,长江存储从成立至今,在短短3年时间内先后研发成功并量产了国内首款32层3D NAND闪存和64层3D NAND闪存,同时凭借着国内庞大的内需市场、优秀的自主研发能力,以及国际水准的产能,担负起推动国内存储器自主创新、加速发展的重要使命。此次新华三集团与长江存储携手,正是将这些国内领先的研发技术和存储芯片引入到服务器产品中,推动优秀自主创新方案的落地生根,更好的满足企业对高速、大容量存储解决方案的需求。

2017年,长江存储成功研发了中国首颗拥有自主知识产权的32层MLC 3D NAND闪存芯片,实现了中国三维闪存产业“零”的突破。该芯片的存储容量为8GB至32GB,目前已通过企业级验证并进行小规模的批量生产,主要应用在U盘,SD卡,机顶盒及固态硬盘等领域。

此后,长江存储基于不断的自主研发和创新,推出了第二代具备完全自主知识产权的64层256Gb TLC 3D NAND闪存,它拥有全球同代产品中最高的存储密度,将广泛应用在智能手机,个人电脑,服务器等领域。长江存储64层三维闪存既是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品,也是中国企业首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产,标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。

提到Xtacking® 技术,不得不说,这是长江存储在3D NAND闪存架构上的一次重大创新,在世界闪存发展史上具有举足轻重的意义。通过芯片架构设计上的变化,Xtacking®能够使3D NAND闪存拥有更快的I/O传输速度,使3D NAND闪存能拥有更高的存储密度,相比传统架构,芯片面积可减少约25%。同时,Xtacking®技术还实现了模块化的设计工艺,能够有效提升了研发效率并缩短了生产周期,为NAND闪存的定制化提供了更多可能。目前,Xtacking®技术被主要应用在长江存储64层及更高规格的三维闪存上。

为了给行业用户带来更多的价值,长江存储未来还将推出Xtacking® 2.0创新架构。作为升级换代技术,Xtacking®2.0将够进一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开拓定制化NAND全新商业模式等。未来,Xtacking®2.0技术将应用在长江存储第三代3D NAND闪存产品中,会广泛应用于数据中心,企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域,这将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。

新华三集团将领先的长江存储闪存引入服务器产品线,将在应用实践中加速中国存储芯片与服务器的融合发展,进一步推动计算产品和架构的迭代。新华三也将在10月24日以“至极之道,智造未来”为主题的计算节期间,重点展示长江存储产品自主创新的领先技术,以及更加安全、可靠、可信的计算产品。这些产品将在新华三“至简,至信,至慧”的智慧计算理念下,更好的满足企业用户的不同需求,为企业的数字化转型赋能。

图片声明:封面图片来源于正版图片库:拍信网

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