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【存储器】旺宏明年下半年量产48层3D NAND

来源:钜亨网    原作者:林薏茹    

存储器厂旺宏董事会昨(23)日通过明年资本支出预算,预计投资新台币87亿元,将于明年第1季起陆续投资,用于3D NAND研发等相关需求。

旺宏明年资本支出规划投入新台币87亿元,资金来源为自有资金与银行融资,将用于投入3D NAND研发的机器设备与厂务系统扩充。

展望明年,旺宏董事长吴敏求认为,明年NAND Flash与NOR Flash都会供不应求,NAND Flash方面,许多2D转至3D,将使2D供给减少,进而造成供不应求,包括SLC NAND Flash与eMMC;而3D NAND Flash许多将应用在智能手机领域,若手机需求佳,3D NAND市况也会跟着好。

3D NAND进度方面,旺宏预计明年下半年量产48层3D NAND Flash,届时游戏机大客户也可望采用,并于2021年量产96层3D NAND、2022年量产192层3D NAND。

封面图片来源:拍信网

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