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【存储器】西数试产112层3D NAND 下半年量产1.33Tb容量

来源:全球半导体观察    原作者:kevin    

1月30日,西部数据(Western Digital)宣布已经成功完成了第五代3D NAND技术BiCS5的研发,继续保持业界先进闪存技术的领先地位。

基于TLC与QLC闪存技术构建的BiCS5技术,在合理优化的成本上,提供了出色的容量,性能和可靠性,成为解决联网汽车、移动设备及AI相关的数据增长的理想方案。

西数目前已经开始初步生产容量为512Gb的BiCS5 TLC产品,且基于该技术的消费类产品目前正在出货。预计到2020年下半年,将大规模生产BiCS5。届时将推出一系列基于TLC、QLC技术的不同容量产品,包括1.33Tb。

据了解,BiCS5是西数迄今为止密度最高,最先进的3D NAND技术。第二代多层存储孔技术,改进的制成工艺和其他3D NAND单元增强功能显著提高了整个芯片上水平的单元阵列密度。

这些“横向扩展”的进步与112层垂直存储功能相结合,使BiCS5与西数的96层BiCS4技术相比,每个芯片的存储容量提高了40%以上,同时优化了成本。新的设计改进还提高了性能,使得BiCS5的I/O性能比BiCS4快了多达50%。

BiCS5技术是与其技术制造伙伴铠侠(Kioxia,原东芝存储器)共同研发,也将会在日本三重县四日市市和日本岩手县北上市的合资工厂里生产。

西数存储器技术与制造高级副总裁Steve Paak博士提到:“随着步入下一个十年,新的3D NAND缩放方法对于继续满足不断增长的数据量和数据速率的需求至关重要。”

Steve Paak还表示:“我们成功生产的BiCS5体现了西数在闪存技术上的持续领导地位以及对技术路线图的高效执行力。通过利用多层存储孔技术的最新技术进成果,增加横向密度并增加存储层,我们在继续提供客户期望的可靠性和成本的同时,极大地扩展了3D NAND技术的容量和性能。”

来源:拍信网