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【存储器】存储产业迎好年 台厂新制程技术将问世

来源:钜亨网       

历经一年多的景气循环,存储器大厂库存去化有成,加上供给端新增产能有限,今年受惠 5G 时代来临,供需将趋于平衡,甚至可望供不应求;随着产业将迎来好年,台厂今年也将陆续有新制程技术问世,搭上产业景气步入上升循环的多头行情。

过去一年多以来,DRAM 原厂去化库存有成,除去年第 3 季旺季需求顺利启动外,市场新产能也有限,在 5G 需求带动下,加上智能音箱、4K/8K 电视、ADAS (先进驾驶辅助系统)、物联网与AI等,也将持续推升 DRAM 需求,业者看好,今年 DRAM 供需将趋于稳定,下半年甚至可能供不应求。

NAND Flash 除供应商库存持续下降、供给成长也保守,同样受惠 5G 需求驱动,加上笔电搭载 SSD 比重与容量显著提升,数据中心客户也积极备货,且次世代游戏主机将搭载 SSD 规格提升等,均成为刺激 NAND Flash 需求增温的动能,今年 NAND 价格可望走出去年雪崩惨况、稳健向上,下半年也可能面临供给短缺情况。

就在存储器产业景气将走出去年谷底之时,台厂新制程技术也将在今年相继问世。旺宏 (Macronix) 的NOR Flash 与 NAND Flash 产品线,一路走来均坚持自主研发技术,去年成功量产 19 纳米 SLC NAND Flash,持续追赶 NAND Flash 大厂脚步,第一批产品 SLC NAND Flash 4GB 产品已出货美国机上盒大客户。

除 SLC NAND 外,旺宏今年下半年将量产 48 层 3D NAND Flash,届时游戏机大客户也可望采用,旺宏并预计于 2021 年量产 96 层 3D NAND、2022 年量产 192 层 3D NAND。

华邦电 (Winbond) 拥有工研院技转背景,早期 DRAM 制程主要来自由英飞凌分割出来的奇梦达授权,但在奇梦达倒闭后,华邦电买下其 46 纳米 DRAM 制程技术,成为其自主研发基础,而后成功自主开发 38 纳米技术,并于 2018 年第 4 季开始小幅量产 25 纳米 DRAM 制程技术。

然而,2018 年第 3 季起,DRAM 产业受中美贸易摩擦影响,加上终端需求趋缓,且供给端集中在下半年开出,DRAM 价格在第 4 季终结连 9 季上扬态势,而华邦电 25 纳米制程量产的时间点,刚好碰上 DRAM 市况反转。

受到 DRAM 市况不佳影响,华邦电 25 纳米新制程转进较为辛苦,客户端验证速度趋缓,价格压力也更大,去年第 2 季 25 纳米占整体 DRAM 营收占比仅约 2%,但第 3 季起受惠传统旺季需求顺利启动,到第 4 季时占比已成长至 6%,惟受到 DRAM 价格下滑冲击,加上 25 纳米开发成本高,第 4 季单季营运因此转亏。

不过,华邦电看好,25 纳米制程良率本季将趋于稳定,新制程转进可望逐步步入轨道;而为下世代 20 纳米技术做准备,华邦电也将在中科 12 吋厂进行新制程研发,新设备装机导入预计今年第 2、3 季可望到位。

南亚科 (NANYA) 目前主力为 20 纳米制程技术,来自美光授权,今年初并宣布成功开发出 10 纳米级 DRAM 新型记忆胞技术,再度走回自主研发之路,第一代 10 纳米级前导产品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5,涵盖消费型、低功率与标准型产品,预计今年下半年陆续进入试产。

第二代 10 纳米级制程技术已进入研发阶段,预计 2022 年前试产,也会开发第三代 10 纳米级制程技术,确立下世代 10 纳米级 DRAM 将采用自主研发技术,不再走授权,摆脱动辄上百亿元的授权金与专利费用。

虽然目前台厂在 DRAM 与 NAND Flash 市场,市占率仍不高,不过,随着各家存储器厂自主研发的新制程技术陆续量产,与大厂间的技术差距也逐步缩小,而受惠 5G 商机推升产业需求扬升,今年存储器将迎来好年,新制程技术的转进也可望搭上这波景气上升循环,趁势起飞。

封面图片来源:拍信网