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【存储器】获美商供应 SK海力士将量产HBM2E DRAM

来源:钜亨网       

据韩媒《Business Korea》报导,韩国科技大厂SK海力士已克服了下一代存储器量产的障碍之一,全球电子设计自动化龙头美商新思科技在近期宣布,将向SK海力士供应系统单芯片(SoC)技术方案,以协助该公司量产高频宽存储器HBM2E。

该SoC方案符合基于台积电7纳米制程JEDEC的HBM2E SDRAM标准,并具有409 GB/秒的数据率,可以在一秒钟内处理110部全高清电影(每部电影3.7 GB)。

SK海力士的HBM2E存储器芯片可以同时从数千个孔洞向数据发送功率,与目前的技术相比,可以减少30%以上的芯片尺寸并减少50%以上的功耗。HBM芯片可以整合到SoC,与逻辑芯片(例如GPU)相距仅数十微米。因此,相较于在主机板上与SoC并行安装,可以进一步缩短数据传输距离,实现更快的数据传输。

不过,HBM2E DRAM价钱是当前的两到三倍,且尺寸大于LPDDR4芯片。因此,市场并不大,仅用于要求超高性能的地方,例如IDC或超级电脑等大型数据中心。

但是,随着5G移动通信、人工智能(AI)、自动驾驶和物联网(IoT)的出现,对高性能服务器的需求持续成长,市场前景乐观。

SK海力士在2013年首次推出HBM芯片,三星电子也随即投入了HBM芯片的开发,从而引发了两家公司的激烈竞争。针对新一代HBM2E芯片而言,三星电子于今年初首次开始量产,SK海力士是于2019年8月推出,但尚未正式开始量产。

封面图片来源:拍信网