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【存储器】三星512GB eUFS 3.1投产,传Galaxy Note 20率先采用

来源:科技新报       

智能手机的运算能力越来越高,下载速度也越来越快,储存芯片的读写速度亦需要配合,才能发挥每个环节的最高效能。日前三星(Samsung)就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片,它的特点就是其读写速度较上一代更快。

三星表示512GB的eUFS 3.1储存芯片,连续写入速度将超过1,200MB/s,比起现在相同容量eUFS 3.0储存芯片的400MB/s,速度快达3倍。

同时512GB eUFS 3.1储存芯片的随机读写表现为100,000/70,000 IOPS,亦较eUFS 3.0的产品快60%。三星指新储存芯片只需90秒就能完成100GB的档案传输,旧款要4分钟以上,特别适合用于储存8K高分辨率影片。

有消息指三星可能会将512GB的eUFS 3.1储存芯片,率先应用于下半年的旗舰手机Galaxy Note 20系列;之后三星还会陆续生产和供应128GB和256GB的eUFS 3.1储存芯片。

封面图片来源:拍信网