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【存储器】同比增长超40% 2019年兆易创新营收净利实现双增长

来源:全球半导体观察       

3月26日晚间,兆易创新发布2019年年度财报,公司实现营业收入32.03亿元,比2018年同期增长42.62%;归属于上市公司股东的净利润6.07亿元,比2018年同期增长49.85%。

兆易创新表示,营业收入大幅增加,主要是因为报告期内市场需求增加,公司不断拓展新客户、新市场,导入新产品,优化调整产品结构,2019年存储芯片销售增加约7.17亿元人民币;微控制器2019年收入较2018年收入增加约3,920万元人民币;本年纳入合并报表范围的上海思立微电子科技有限公司合并期间即2019年6-12月的收入贡献2.03亿元人民币。
2019年,兆易创新依据业务经营情况调整公司组织架构,组建完成了存储+MCU+传感器为核心的三大事业部架构,现有的业务布局分为存储、MCU和传感器三大方向。

在存储方面,2019年度,兆易创新Flash持续开发新产品和技术升级,其中,在NOR Flash产品方面,兆易创新针对不同领域的推出了多款新产品;而NAND Flash产品上,兆易创新高可靠性的38nm SLC Nand制程产品已稳定量产,并持续推进24nm制程产品进程,完善中小容量NANDFlash产品系列;MCU产品方面,兆易创新不仅推出了多款新产品,同时也在积极推进“MCU百货商店”战略计划,陆续推出无线MCU、电源管理芯片等全新产品系列。

与此同时,兆易创新积极推进与思立微的整合,实现优势互补。2019年5月,思立微产权过户手续及相关工商变更登记完成,标志着公司收购思立微100%股权的重大资产重组项目正式完成。在光学指纹传感器方面,积极优化透镜式光学指纹产品,并推出LCD屏下光学指纹、超小封装透镜式光学指纹产品、超薄光学指纹产品、大面积TFT光学指纹产品,成为全行业唯一一家拥有指纹全部品类的公司。司。在MEMS超声指纹传感器研发方面,兆易创新也取得了阶段性进展。

此外,兆易创新也在积极布局DRAM领域。

2019年9月,兆易创新发布非公开发行股票预案,拟募集资金总额不超过人民币43.24亿元,用于DRAM芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金。项目开发目标为研发1Xnm级(19nm、17nm)工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。此研发项目的成功实施,将实现国内存储芯片设计企业在DRAM领域的突破,也有助于公司战略拓展业务领域。

值得注意的是,持续推进合肥12英寸晶圆存储器研发项目合作。2019年4月26日,公司与合肥产投、合肥长鑫集成电路有限责任公司签署《可转股债权投资协议》,约定以可转股债权方式对项目投资3亿元,并继续研究商讨后续合作方案。业务方面,公司将与合肥长鑫发挥优势互补,探讨在DRAM产品销售、代工、以及工程端的多种合作模式。

兆易创新表示,2019年公司供应链进一步优化结构,加深与中芯国际、上海华力微电子、联华电子等国际一流大厂的合作范围与合作深度,同时与台积电的合作进展顺利。截至2019年年底兆易创新闪存芯片累计出货超过100亿颗,MCU产品累计出货超过3亿颗,其中2019年度闪存芯片及MCU出货约30亿颗。

封面图片来源:拍信网