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【存储器】2020年揭榜任务公布 安徽要突破这几项集成电路关键技术

来源:全球半导体观察       

近日,安徽省经信厅引发《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》(以下简称“方案”)。

根据《方案》,安徽省将聚焦新一代电子信息、智能装备、新材料等重点领域,组织具备较强创新能力的企业揭榜攻关,通过2-3年时间,重点突破一批制约产业发展的关键技术,培育一批优势产品,做强一批优势企业,不断提高制造业自主可控水平,促进制造业高质量发展。

目前,安徽省已经以制造业重大发展需求为目标,以突破产业关键技术短板为导向,着眼有基础可产业化、突出产业带动性,在10个重点领域、50个重点方向中确定了104项揭榜任务,其中包括多项集成电路产业的揭榜任务。

以下为部分集成电路产业揭榜任务:

射频氮化镓单晶衬底的主要任务为面向高端射频领域,如军用相控雷达、5G通信基站、卫星通讯等,开展基于自支撑技术的高质量、大尺寸、半绝缘型的氮化镓衬底生长及物性调控的研发与量产。

低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发的主要任务为面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求,研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化,依托DRAM 17nm及以下工艺,攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片内纠错编码(On-Die ECC)技术,完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

15/14nm DRAM存储芯片先进工艺开发及产品研发的主要任务为围绕未来云计算、人工智能等对DRAM存储芯片小尺寸、大容量、高速度的需求,进行15/14nm DRAM存储芯片制造工艺开发,并实现产业化。

DRAM存储芯片专用封装工艺铝重新布线层(Al RDL)工艺开发的主要任务为围绕先进DRAM产品工艺开发需求,开展铝重新布线层工艺开发并实现产业化应用,采用气相沉积氧化硅厚膜作为保护层降低材料应力,攻关溅镀厚铝技术替代电镀铜(镍钯金)技术,通过铝替代铜作为重新布线层,解决先进DRAM产品封装良率低、成本高、周期长等问题。

5nm计算光刻国产化,该任务的研究内容包括:计算光刻EDA软件,提供高度智能化、自动化的EDA仿真软件,含OPC和SMO两大核心技术,同时将版图到掩膜版数据转换的全流程囊括其中,增加工艺探索、建模、图形验证、图形校正、数据准备5大模块,各个模块可以独立操作又能有效串连,对光刻工艺步骤构建适合的软件模型,以纯软件模型取代工程实验,达到降低研发成本的效果。通过内建人工智能算法引擎,从而提高收敛准确性,支持5nm光刻工艺和多重图形化(Multiple-Patterning)技术,实现Patterning图形全流程自动化,最大程度减少对人的依赖,还起到了提高开发效率、减少人力成本、缩短开发时间的作用。

定位下一代EDA的5nm工艺研发DTCO平台,主要内容包括:将光刻工艺研发和器件工艺研发流程整合的工艺研发流程。包括七大模块:1.性能评价模块 2.功耗评价模块 3.面积评估模块 4.制程成本评估模块 5.制程可行性评估模块 6.智能设计规则管理系统 7.DTCO协作请求与控制系统。通过此DTCO平台, 工艺研发人员将从研发早期确定技术路线,对性能功耗面积的持续优化,评估工艺条件的可行性与成本,决定设计规则窗口,引入研发组织协作流程,将庞大的工艺研发信息纳入统一管理,降低工艺研发成本,提高效率。 

5G高抑制n77频带带通滤波器的主要内容为实现高抑制Hybrid 5G n77滤波器产品研发并产业化,解决射频前端芯片“卡脖子”难题。

基于5G通讯的LTCC射频器件研发与产业化的主要内容为突破LTCC三维布局、传输零点的引入方法、LTCC滤波器的计算机辅助诊断与调试等关键技术。

国产化智能语音芯片研发的主要任务为:1.完全自研、自定义的DSP和AI加速器的指令和IP的研究设计;2.专用IP设计以及验证:完成AI加速器微架构设计,指令集设计,用RTL实现并验证,主要包括:1)AI加速器微架构设计,它可以较好的平衡各种算力需求和设计复杂度;2)针对人工智能算子,设计出AI加速指令。

存储器芯片生产自动测试设备研发的主要任务包括1.ATE行业最高集成度的核心仪表板;2.行业最高的系统配置能力;3.行业内最高生产并行测试能力。

封面图片来源:拍信网