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【存储器】存储器发展趋势解读 业界:DRAM优于NAND

来源:台湾经济日报    原作者:张瑞益    

针对DRAM和储存型快闪存储器(NAND Flash)这两大存储器后市,业界普遍有“DRAM优于NAND Flash”的共识。

业者分析,目前看来,DRAM需求拉抬步调较快,价格后市相对看好;NAND Flash则因市场供给较多,预估第3季需求持平第2季,因此价格走势预料也会比DRAM弱。

业者指出,今年第2季NAND Flash市场稳定,价格小幅上扬,不过,从市场近一、两个月的反映来看,支撑第2季NAND Flash市况的笔电及资料中心等重要需求来源,第3季恐面临库存调节压力,因此从需求端来看,第3季力道并不强劲。

市场研究机构集邦咨询(TrendForce)预估,第3季NAND Flash市场将转为供需平衡,主要产品价格将出现持平或微幅下跌。业者预期,在各家供应商供货节制下,今年第3、4季NAND Flash需求不强,预料价格可能小幅修正,以下半年来看,DRAM价格走势将优于NAND Flash。

业者表示,资料中心需求可说是今年上半年NAND Flash的重心,但上半年非常强劲的资料中心,以上游供应服务器存储器的原厂来看,除了一家韩系厂商对资料中心后市较明确外,其它厂商因疫情因素,能见度较没有那么长。

尤其中国大陆主要资料中心大厂需求面转保守,加上主要业者拉货已持续一段时间,后续需求有机会延伸到第3季,但需求力道将趋缓。

封面图片来源:拍信网