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【存储器】80亿美元,三星西安二期二阶段项目预计2021年年中投产

来源:群众新闻网    原作者:群众新闻网    

据群众新闻网报道,目前,总投资80亿美元的三星高端存储芯片二期第二阶段项目正在稳步推进,预计2021年年中建成投产。

据三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基介绍,三星(中国)半导体有限公司一季度进出口额为278.67亿元,相较去年同期增加45%,二期项目第一阶段预计在今年第三季度实现满产。

资料显示,三星(中国)半导体有限公司成立于2012年,公司位于西安高新综合保税区。落地西安以后,三星电子先期投资105亿美元建成三星(中国)半导体有限公司高端闪存芯片项目一期及封装测试中心。项目一期于2014年5月竣工投产,截至目前运行顺利。

2017年8月,三星电子与陕西省、西安市及高新区政府签署了投资合作协议,建设三星(中国)半导体有限公司闪存芯片二期项目。

据悉,三星高端存储芯片二期第一阶段项目投资约70亿美元,今年3月,二期项目第一阶段项目产品正式下线上市。

2019年12月,三星高端存储芯片二期第二阶段项目正式启动,总投资80亿美元。

作为改革开放以来我国电子信息行业最大的外资项目,三星(中国)半导体有限公司生产的主要产品为3D V-Nand闪存芯片。

池贤基表示,三星项目的启动,带动100多个相关配套企业进驻西安高新区,西安高新区形成了规模过千亿元的半导体产业集群,并将进一步跃升为世界具有竞争力的电子信息产业基地。

封面图片来源:Samsung