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【存储器】三星:下一代闪存将采用双层堆叠,可望实现256层

来源:全球半导体观察    原作者:李薇    

当前三星的第六代V-NAND闪存采用单层堆叠技术,最多可具有128层。引入双层堆叠技术后,使256层NAND闪存成为可能。不过下一代NAND闪存会否配置256层,取决于三星接下来的考量。

在昨日举行的投资者论坛上,全球存储芯片龙头厂商三星电子透露,它将在其未来的NAND闪存芯片中采用“双层堆叠”(Double-stack Technology)技术,并且有可能开发256层设备。

双层堆叠使256层闪存可行

NAND闪存是一种非易失性存储器,由于保存资料时不需要消耗电力,断电也可以存储数据。

NAND闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量,更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。与单层堆叠解决方案相比,双层堆叠的方法可以更快地集成更多层。

 三星V-NAND技术图解/图源三星

去年8月,三星推出了第六代V-NAND闪存。为使V-NAND具有超过100层的可行性,三星采用了新的电路设计技术。当前,三星计划利用双层堆叠技术来开发其下一代V-NAND闪存。

闪存市场供过于求持续,但存储供应商不改积极扩产态势,竞争日益激烈。根据TrendForce集邦咨询的数据,三星是全球最大的NAND闪存制造商,今年第三季度的市场份额为33.1%。

在下一代闪存中引入双层堆叠方案,三星此举有助于进一步巩固其领先地位。

据韩联社报道,第七代V-NAND正处于开发阶段,预计将于明年量产,但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示:“我们的第六代V-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层,但如果我们采用双层堆叠技术,256层堆叠是可能的。”

最佳层数取决于市场

虽然在技术上可以实现256层NAND闪存,但是韩进满表示,这并不一定意味着三星的下一代NAND将具有这样的层数配置。

韩进满说:“芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。”“这不是关于'你可以堆叠多少层',而是关于'目前市场上最佳的层数”。”

集邦咨询分析师叶茂盛在探讨全球闪存产业发展态势时给出预测:制程方面,在2020年NAND Flash叠堆技术突破100层后,2021年继续往150层以上推进。与此同时,单芯片容量也将自256/512Gb推进至512Gb/1Tb。

叶茂盛指出,2021年厂商将积极借助成本改善吸引客户升级容量。

封面图片来源:Samsung