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【存储器】2021年准备迎接存储器成长周期,各厂商摩拳擦掌

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

根据外媒报导,随着2021年全球三大存储器厂将陆续大规模量产下一代DDR5 DRAM,预计存储器市场将迎接下一个成长周期,这使得三星、SK海力士、美光等三大存储器公司正在加紧技术开发,以面对市场竞争而抢攻市占率。

根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导,全球存储器产业龙头韩国三星电子计划在2021年下半年正式推出DDR5 DRAM。

相较于当前产品DDR4的规格,DDR5 DRAM的传输速率可高达6400Mbps,是DDR4 DRAM 3200Mbps的2倍。另外,DDR5的工作电压为1.1V,这比DDR4的1.2V降低了9%。而且,DDR5的最大容量为64Gb,这部分则是DDR4产品的4倍。

而因为其性能突出,使得DDR5产品价格即便稍高于DDR4,但因为世代交替的市场需求下,仍有空间为存储器厂带来获利,这也是预期全球存储器产业将迎接新成长周期的主因。

报导强调,根据TrendForce集邦咨询预测,DDR5在PC DRAM市场中的市占率,将从2020年的不到1%,成长到2021年的10%,足足是10倍以上的成长。尤其是DDR5产品在服务器DRAM市场中,其市占率也将从2020年的4%,提升到2021年的15%。

因此,在市场快速成长的情况下,全球三大存储器厂都开始准备抢攻商机。

其中,韩国SK海力士已经在2020年的10月6日首次公开发表DDR5 DRAM,而竞争对手三星则是预计自2021年开始量产第4代10纳米级的DDR5和LPDDR5。

至于,美商存储器大厂美光则是在2020年初宣布,已经开始向客户出样最新DDR5存储器,以第3代10纳米级1z纳米制程打造,性能提升85%。

而除了DDR5的DRAM竞争之外,存储器厂商也在NAND Flash快闪存储器的发展上相互角力。

其中,美光在2020年11月宣布,已经开始量产全球首批176层堆叠的NAND Flash快闪存储器。美光指出,新的176层堆叠NAND Flash快闪存储器在读写方面的性能提高了35%以上,而且与同类最佳竞争对手相较,其尺寸更减少了30%。

继美光之后,SK海力士也在2020年12月7日宣布已经完成176层堆叠NAND Flash快闪存储器的开发。SK海力士强调,随着新产品的生产率提高35%以上,则176层堆叠的NAND Flash快闪存储器将能增加其市场价格竞争力。

此外,三星方面则是计划2021年发布第7代V-NAND快闪存储器。理论上,第7代V-NAND快闪存储器最多可以达到256层堆叠的能力。

2020年10月,SK海力士宣布将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务,使得SK海力士在全球NAND Flash快闪存储器市场的市占率有望达到20%以上。

TrendForce表示,截至2020年第3季为止,三星电子以33.1%的市占率在全球NAND Flash快闪存储器市场中排名第一,铠侠则以21.4%位居第2,西部数据的市占率则为14.3%,位居第3,SK海力士和英特尔的市占率则分别为11.3%和7.9%。

报导进一步强调,业界预期,NAND Flash快闪存储器市场的成长将比DRAM市场更快,原因在于智能手机向5G发展,以及资料中心的服务器对SSD的需求所造成,这使得NAND Flash快闪存储器市场到2024前将以每年30%到35%的速度增长,相较于DRAM的年平均成长率为15%到20%而言,NAND Flash快闪存储器市场的成长速度快很多,也使得厂商更加注重NAND Flash快闪存储器市场的发展。

封面图片来源:拍信网