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【存储器】铠侠和西数宣布推出第六代162层3D闪存

来源:全球半导体观察       

近日,铠侠(Kioxia)和西数(Western Digital)宣布,双方已经合作开发了第六代162层3D闪存技术。新闻稿指出,这是两家公司迄今为止最高密度和最先进的3D闪存技术。

图片来源:铠侠官网截图

官网消息显示,第六代3D闪存具有超越传统的先进架构,与第五代技术相比,横向单元阵列密度提高了10%。与112层堆叠技术相比,这种横向缩放的进步与162层堆叠的垂直存储器相结合,使芯片尺寸减小了40%,优化了成本。

同时,铠侠和西数团队还采用了阵列CMOS电路布局和四路同时操作,与上一代产品相比,这两种技术的应用使性能提高了近2.4倍,读取延迟提高了10%。I/O性能也提高了66%,从而使下一代接口能够满足对更快的传输速率不断增长的需求。

总体而言,与上一代产品相比,新的3D NAND降低了每单位的成本,并使每个晶圆的存储数量增加了70%。

封面图片来源:铠侠