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【存储器】三星宣布2022年底前量产8层TSV技术堆叠DDR5内存

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

外电报导指出,韩国三星电子在23日举行的在全球半导体产业会议Hotchips 33上表示,三星电子将于2022年底开始量产8层堆叠的DDR5内存。

根据韩国媒体《THEELEC》报导指出,韩国三星电子将于2022年底开始量产的8层堆叠DDR5存储器。其将使用其硅通孔(TSV)技术,将512GB DDR5内存模组进一步堆叠起来。而目前该公司已经生产出4层堆叠,并采用TSV技术整合DDR4内存模组的内存,整个芯片的厚度仅1.2毫米。

报导引用三星的说法表示,尽管可堆叠到8层DDR5内存模组,但整个DDR5内存仍将比1毫米更薄。而且与DDR4内存相较,新的DDR5内存还将具有更好的散热功能,而这要归功于新型材料的应用所导致。另外,三星还在模组中也采用自己开发的新款电源管理IC来降低噪音,并使其有较优秀的功耗性能。

报导进一步指出,三星新的8层堆叠DDR5内存将具有7.2Gbps的数据传输速度。三星还应用了一种称为决策反馈均衡器的技术,以进一步提升数据传输速率,并保信号的稳定状况。另外,三星还强调,新的内存模组将以数据中心的服务器市场需求为主要供应对象。

封面图片来源:拍信网