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【存储器】未来存储技术如何创新?西部数据提出“芯”想法

来源:全球半导体观察    原作者:Viki    

当前,随着5G、AI、物联网、大数据及区块链等领先的科技应用和新兴数字化产业快速发展,全球数据存储需求变得逐渐多元化,数据存储量也急速增长。这对于存储行业来说,将是一次巨大的机遇和全新的挑战,同时在疫情等因素冲击下,存储技术创新及产品演进将如何变化?

近日,由TrendFroce集邦咨询主办的MTS2022存储产业趋势峰会在深圳举行,会上西部数据副总裁兼中国区业务总经理刘钢发表了主题为“数智视野 芯存未来”的精彩演讲,分享了存储产业未来技术趋势以及创新应用等内容。


图| 西部数据 副总裁兼中国区业务总经理刘钢

摩尔定律和建筑架构设计完美结合,推动半导体存储发展

刘钢在峰会中表示,在摩尔定律作用下,闪存密度和性能迅速提高,资本效率大幅增加。摩尔定律在闪存领域有三个维度可以发挥作用:一是横向,在同一层里面横向提高密度;二是在纵向上发展,可以堆叠层数:三是在同一单元里面,通过改变逻辑单元的设定,从原来的SLC到MLC、TLC、QLC,在每个单元都可以增长。

横向密度扩张加上纵向的堆叠,加上一个单元里面密度的扩展,闪存的存储率在过去几年增长了很多倍,超过了仅仅是线宽的缩小(带来的增长),也超过了仅仅是堆叠层数的增加(带来的增长)。

刘钢认为,摩尔定律可以在上述三个维度发挥作用,在半导体存储方面有更快速的进展。这不单单是摩尔定律,更是摩尔定律和建筑架构设计的完美结合。

将iNAND闪存与HDD垂直整合,西数首批搭载OptiNAND技术的产品上市

峰会上,刘钢介绍了西数第六代162层3D NAND技术、OptiNAND™技术闪存增强型硬盘、以及RISC V研发情况。

今年2月份西部数据发布了第六代162层3D NAND技术,通过横向拓展cell单元存储密度,与BiCS5相比,与上一代产品相比,程序性能可提高近2.4倍,读取延迟减少约10%,I/O性能也提高了约66%,实现了在提升整体存储性能的同时,降低总体拥有成本(TCO), 将摩尔定律带入新维度,以NAND技术推动了高性能低功耗,从消费级产品到企业级产品,为世界定制不同闪存解决方案。

西部数据是RISC V开源指令集社区的领导者和积极贡献者。开发者可以基于RISC V开发新的控制器(controller)和处理器(DPU),推出高性能低功耗,更加智能的可计算存储。

此外,刘钢先生还介绍了西部数据于今年9月推出了用于闪存增强型硬盘的OptiNANDTM技术,这是将iNAND闪存与HDD垂直整合,在提供更高容量的基础之上,将性能、可靠性又推向新的高度,为未来数据中心的计算型存储提供了更优质的存储解决方案。

另据西部数据12月7日官微消息,首批搭载OptiNAND技术的产品—— Ultrastar DC HC560 CMR 20TB HDD已于11月正式上市,并已批量出货。

结语

刘钢表示,作为专注于存储市场的领导者,西部数据将持续致力于创新存储技术和架构,不断推出更多优质的固态硬盘产品组合。无论是设备、系统,还是可计算的内核,都希望跟业界合作伙伴进行更深入地交流和合作,开发出更多智能存储设备。

封面图片来源:拍信网