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【存储器】150℃下可保存10年!杭州芯火壹号HX001阻变存储芯片发布

来源:全球半导体观察整理       

12月17日,杭州国家“芯火”平台在杭州市滨江区海外高层次人才创新创业基地举行“杭州芯火壹号”HX001芯片鉴定暨产品发布会,正式宣告杭州国家“芯火”的第一颗芯片——超大窗口阻变随机存储器芯片的诞生。

根据杭州国家芯火消息,HX001芯片是杭州国家“芯火”双创平台共性技术研究的一部分,由杭州国家“芯火”双创平台与浙江大学微纳电子学院协同开发完成。


图片来源:杭州国家芯火

据官方介绍,“杭州芯火壹号”HX001芯片的阻变器件选择插层结构,采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置,制备Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构,来有效地减少阻变器件的阻变参数的离散性。具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构的阻变器件不需要Forming操作,从而有效提高忆阻器的窗口,存储窗口可大于106,并减少了对器件的后端集成。同时,采用十字交叉阵列将单元面积做到40F2,大大提高了阻变器件的集成密度。

杭州国家芯火消息称,经浙江科正电子信息产品检验有限公司和闳康技术检测(上海)有限公司对“杭州芯火壹号”的功能和性能检测,检测报告显示:HX001芯片的工作电压小于5V;所读取的忆阻器阻值窗口远大于106;在150℃环境下,分别在1s,30s,100s,300s,1000s,3000s时加约0.1V小电压对忆阻器进行数据保持特性测试,忆阻器均能保持电阻阻值稳定;根据模型外推忆阻器所存储的数据可在150℃环境温度下保持10年以上;忆阻器单元面积小于40F2。目前,已申请一项国家发明专利。

据悉,目前,HX001芯片已经多家单位评测试用,用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性,优于市场同类产品,具有较好的市场应用前景。

资料显示,2018年3月,国家工信部批复依托杭州国家集成电路设计产业化基地建设杭州国家“芯火”双创基地(平台),从而成为全国第五家国家“芯火”平台。杭州国家“芯火”双创基地(平台)建有浙江省集成电路设计公共技术平台、公共EDA服务平台、IP应用服务平台、MPW服务平台、验证与测试服务平台、人才培训及孵化等平台。

封面图片来源:拍信网