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【存储器】斥资3000亿新台币 南亚科12英寸新厂即将动土

来源:全球半导体观察    原作者:Kiki    

近日,台塑集团旗下DRAM大厂南亚科发布媒体邀请函,表明南林科技园区新建双层无尘室12英寸厂计划将于6月23日举行动土典礼。据悉,此举是是台塑集团投资DRAM存储器、摆脱科技束缚的关键举措。

公开资料显示,台塑集团半导体事业布局广,除了南亚科之外,还有上游硅晶圆厂台胜科、载板厂南电、后段封测厂福懋科,发挥上下游垂直整合综效。南亚科则专注利基型存储芯片。此前南亚科从40纳米到20纳米,每年需要向美光科技支付大量专利授权费。近年来积极投入自主技术研发,2020年初开发出10纳米级DRAM新型存储器技术,同时确立下世代10纳米DRAM将采用自主研发技术,不再走授权模式。

据南亚科规划,该厂房正式采用南亚科技自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片,及规划构建EUV极紫外光微影生产技术,月产能约45,000片芯片,预期直接提供2,000个工作机会,并间接创造产业链数千个就业机会。该厂预估以7年分3阶段投资,计划2021年底动工,2023年底完工,2024年开始第一阶段量产,总投资金额约新台币3,000亿元。

南亚科总经理李培瑛曾指出,新厂预计从第二代10纳米级DRAM制程开始导入,首阶段15,000片月产能,3阶段完成后,将为南亚科增加45,000片月产能。虽较目前每月70,000片产能少,但因制程提升,颗粒产能数量将提升。新厂南亚科也规划构建EUV极紫外光微影生产技术,也有技术研发中心,最终什么制程导入或什么产品导入,还须视市场需求决定。

南亚科第一季说明会李培瑛指出,新厂建照尚未取得加上缺工问题,一直未动土,也影响完工量产时间。除了建设费用提高,也使南亚科位元产能增加有限,仅能借30纳米或20纳米等级制程转换到10纳米等级只小部分提升。不过10纳米级新制程的研发进度符合进程。新厂落成量产时间是否维持原来计划,有待典礼当天南亚科再宣布。

封面图片来源:拍信网