注册

【存储器】三星DDR6内存投入研发?传2024年面世

来源:全球半导体观察整理       

据韩国媒体报道,三星DDR6内存已经投入研发,并预计在2024年之前完成设计。

报道称,三星负责测试和系统封装(TSP)的副总裁在韩国水原的一次研讨会上透露,随着未来内存本身性能的扩大,封装技术也需要不断发展。该公司证实,它已经处于下一代DDR6内存的早期开发阶段,将采用MSAP(改良半加成法)封装技术。

根据三星的说法,MSAP已经被其竞争对手(SK海力士和美光)用于DDR5。

那么,MSAP有什么新特点呢?

据介绍,MSAP修正后的半加成工艺允许DRAM制造商创建具有更精细电路的内存模块。这是通过在以前未被触及的空位上涂抹电路图案来实现的,这样可以实现更好的连接和更快的传输速度。下一代DDR6内存不仅将利用MSAP来加强电路连接,而且还将适应DDR6内存中增加的层数。

三星预计,其DDR6设计将在2024年之前完成,但预计2025年之后才会有商业使用的可能。就规格而言,DDR6内存将是现有DDR5内存的两倍,传输速度可达12800Mbps(JEDEC),超频后的速度可超过17000Mbps。

目前,三星最快的DDR5 DIMM的传输速度为7200Mbps,在JEDEC标准下提高了1.7倍,在下一代内存芯片的超频速度下提高了2.36倍。

封面图片来源:拍信网