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东芯股份回应19nm闪存进度及3D NAND研发问题

来源:全球闪存市场       

近日,东芯股份在投资者互动平台表示,公司19nm先进制程的NANDFlash产品已完成了首轮流片,目前正在产品调试的过程中。

针对3D NAND闪存研发问题,东芯股份表示,公司目前聚焦于中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售,暂不涉及3DNAND业务。

车规级芯片方面,东芯股份称,车规级存储器产品对产品各项指标都有更高的要求,因此产品认证及导入时间较长,目前相关产品正在积极研发和导入过程中。

此前6月,东芯股份曾强调,SLC NAND是进入NAND Flash的必经之路,在SLC NAND的布局上,公司目前有两个方向,分别是高可靠性和更新工艺。

在高可靠性方面,由于公司本身就具备开发更高容量NAND的基础,因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的产品,如车规级的SLC NAND。目前公司也是国内少数几家有做车规级的SLC NAND能力的企业。

在更新工艺方面,公司不断更新制程,从38nm、24nm,再到现在正在开发的19nm的工艺。通过更新工艺来为客户带来更具性价比、更高容量的产品。

作为Fabless芯片企业,东芯股份拥有独立自主的知识产权,聚焦中小容量存储芯片的研发、设计和销售,是国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等主要存储芯片完整解决方案的公司。

封面图片来源:拍信网