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韩媒:三星已组建开发团队,以量产4F2结构DRAM

来源:全球半导体观察整理       

5月26日,韩国媒体The Elec引用知情人士消息称,三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队,以量产4F2结构DRAM。

4F2结构DRAM能够大大提高DRAM的存储密度,方便研究团队克服DRAM线宽缩减的极限,增加DRAM制造的效率。

报道称,如果三星4F2 DRAM存储单元结构研究成功,在不改变节点的情况下,与现有的6F2 DRAM存储单元结构相比,芯片DIE面积可以减少30%左右。

4F2结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术,据说工艺难点颇多。不过三星认为,与SK海力士和美光正在开发的3D DRAM相比,这种结构更容易实现。

The Elec报道指出,三星电子的目标是将4F2应用于10纳米或以下节点的DRAM制程,因为以目前的技术预计会面临线宽缩减的极限。

封面图片来源:拍信网