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HBM4将迎来大突破?

来源:全球半导体观察整理       

AI大势下,高带宽内存 (HBM) 从幕后走向台前,备受存储市场关注。近期,媒体报道下一代HBM将迎来重大变化,HBM4内存堆栈将采用2048位内存接口 。

自2015年以来,所有HBM堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增加到每堆栈2048位,足以可见HBM4具备的变革意义。

另据韩媒报道,三星为了掌握快速成长的HBM市场,将大幅革新新一代产品制程技术,预计2026年量产HBM4。

尽管HBM4将有大突破,但它不会很快到来。当前HBM市场以HBM2e为主,未来HBM3将挑起大梁。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示,当前HBM市场主流为HBM2e,包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时,为顺应AI加速器芯片需求演进,各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e,预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。

以HBM不同世代需求比重而言,据TrendForce集邦咨询表示,2023年主流需求自HBM2e转往HBM3,需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量,2024年市场需求将大幅转往HBM3,而2024年将直接超越HBM2e,比重预估达60%,且受惠于其更高的平均销售单价(ASP),将带动明年HBM营收显著成长。

封面图片来源:拍信网