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时创意精彩亮相MTS2024,512GB UFS3.1全面量产

来源:全球半导体观察       

11月8日,时创意董事长倪黄忠受邀出席MTS2024存储产业趋势研讨会,并发表《存储新势力,推进行业应用新变革》主题演讲。倪黄忠董事长表示,存储芯片三大主流应用领域是智能手机、PC和服务器,随着智能化的不断推进,存储应用呈现出多元化特点,生成式AI技术和ChatGPT的兴起,使人工智能越来越贴近生活,将会催生出更多的AI存储应用。

同时,近两年来全球存储产业也经历了“过山车”行情,存储市场的机遇虽然巨大,但仍需关注供需不平衡导致的价格剧烈波动。倪黄忠董事长认为,大起大落的产业环境下,存储厂商面临生存挑战,存储新势力企业应通过产品技术创新、企业智能应用及人才资源汇聚加强企业“内功”修炼,汇聚一流人才、打造一流团队、创造一流产品、服务一流客户,从而成就一流企业,最终在危机中实现突围,推进存储行业应用新变革。

作为存储新势力企业,时创意通过产品技术创新、企业智能应用及人才资源汇聚,实现了第二代Flip Chip先进封装工艺的突破,同时凭借存储芯片自研自造能力,实现了512GB UFS3.1的全面量产。此款芯片满足高端智能手机、平板电脑、智能汽车、AR/VR等智能终端设备市场的主流需求。目前,时创意UFS3.1系列可提供128GB、256GB、512GB三种容量选择,明年将实现1TB容量的量产。

512GB更大容量、2100MB/s更快读取,全面释放产品强劲性能

基于AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等智能终端应用对存储产品容量、读写性能提出的更高需求,时创意此次发布的512GB UFS3.1高性能嵌入式闪存芯片,顺序读写速度分别高达2100MB/s、1700MB/s,分别是UFS2.2的2.6倍、7.7倍,理论带宽达2.9GB/s,尺寸仅为11.5×13.0×1.0mm,具有高速率、稳定兼容、耐用可靠等特点。

用户可在应用端感知接收/传输文件、程序安装启动、超清图片载入等操作速度的显著提升,运行大型游戏时延迟更低、观看8K视频画面更流畅。以装载该芯片的智能手机端为例,其仅需1分钟即可完成高达100GB数据传输,实测消耗时间不到基于UFS2.2应用端的1/7。

新增多项固件功能,赋能更极致的移动端体验

时创意UFS3.1采用Filp Chip 8 die堆叠工艺,搭配自研软固件架构,并根据JEDEC 发布的UFS3.1标准规范,新增写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)、性能调整通知(Performance Throttling Notification)等多项固件功能,相较上一代产品UFS2.2在传输速率、功耗等综合特性上有了大幅提升。依托时创意严苛的多重测试工序,使其兼备高品质、高可靠与强兼容性。

此外,该产品还支持主机性能增强技术(Host Performance Booster),可提升长时间使用后的随机读写性能,处理零碎文件和多任务执行响应速度更快,有效解决智能终端越用越卡的问题,芯片整体出色表现赋能极致的移动端体验。

更出色的能效比,提供耐用可靠的闪存解决方案

时创意512GB UFS3.1具有优秀的低功耗管理能力,深度睡眠(Deep Sleep)技术使其增加了一种新的低功耗状态,降低自身的工作压力和减少对稳压器的唤醒来达到降低功耗的目的,极大延长设备的电池续航时间。具体到应用端,该产品能够使终端设备快速进入和退出低功耗模式,保证设备低功耗运行的同时,不影响用户使用体验。

在保证产品性能得到充分释放的情况下,功耗更低、能效比更高。时创意512GB UFS3.1为5G时代下数据传输的低延迟、高频宽、稳定可靠等多元化需求提供了更具耐用可靠的闪存解决方案,并有效保障传输的安全性。

今年以来,时创意加强资本合作,连续完成A轮和B轮战略融资。随着AI、智能穿戴、无人机、VR等应用对存储产品需求的高速增长,时创意未来将不断紧跟市场与用户的实际需求,持续加强研发、完善产品矩阵,以多样化的存储芯片及解决方案,加速行业存储应用的新变革。