来源:全球半导体观察 原作者:竹子
据韩国每日经济消息,SK海力士近日制定了"一个团队战略",其中包括与台积电合作开发第六代HBM芯片(HBM4)。据悉,台积电将负责部分HBM4的工艺制造——极有可能是封装工艺,以提升产品兼容性。 SK海力士表示 “对此公司无法评论”。
据悉,HBM(HighBandwidthMemory,高宽带内存)的优势是可以将专用数据处理器直接集成在DRAM中,将部分数据计算工作从主机处理器转移到存储器当中,从而满足AI芯片训练的高宽带要求,因而HBM也被认为是加速下一代AI技术发展的领先存储技术。相较于前三代HBM,HBM4拟更新为更宽的2048位内存接口,以解决此前1024位内存接口"宽但慢"的问题,这就需要台积电的先进封装技术来验证HBM4的布局和速度。
目前,HBM市场呈现SK海力士、三星、美光"三足鼎立"的局面。
据TrendForce集邦咨询HBM市场研究显示,为了更妥善且健全的供应链管理,NVIDIA也规划加入更多的HBM供应商,其中三星(Samsung)的HBM3(24GB)预期于2023年12月在NVIDIA完成验证。美光(Micron)已于2023年7月底提供8hi(24GB)NVIDIA样品、三星则于2023年10月初提供8hi(24GB)样品。由于HBM验证过程繁琐,预计耗时两个季度,因此,TrendForce集邦咨询预期,最快在2023年底可望取得部分厂商的HBM3e验证结果,而三大原厂均预计于2024年第一季完成验证。值得注意的是,各原厂的HBM3e验证结果,也将决定最终NVIDIA2024年在HBM供应商的采购权重分配,然目前验证皆尚未完成,因此2024年HBM整体采购量仍有待观察。
此前,SK海力士拟扩大其HBM的生产设施投资,以应对高性能AI产品需求的增加。公司计划,对通过硅通孔(TSV)相关的设施投资将比2023年增加一倍以上,力图将产能翻倍,并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。在其今年发布的最新财报中,SK海力士表示,公司在筹备支持HBM3E方面稳步地取得进展,将推进大规模生产HBM3E,正处于开发下一代HBM4产品的正轨之上。
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