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三星量产1Tb QLC 第九代 V-NAND 闪存

来源:科技新报    原作者:Atkinson    

三星宣布,已开始量1Tb QLC的第九代V-NAND存储器,这是全球第一家使用这项新技术开始量产存储器的公司。

根据韩国媒体报道指出,继2024年4月制造出全球首款TLC的第九代V-NAND之后,三星也已开始量产QLC第九代V-NAND。  另外,为了达成这一目标,三星推出了多项新技术和新制程,包括通道孔蚀刻、设计模具、低功耗设计,以及预测程序等。

其中,在通道孔蚀刻的部分,该技术用于堆叠层,然后创建一个通道孔,电子可以借由该孔移动。 这种双层堆叠结构使闪存有了更高的储存密度。 与上一代QLC技术相比,其位密度提高了86%。 而在设计模具方面,控制操作单元,也就是控制晶体管开启和关闭状态布线的间距,将它们层压以优化和统一单元,借以通过将数据保留率提高20%来提高可靠性。

至于,预测程序则是预测单元状态的变化,并最大限度的减少不必要的单元操作。 利用这项技术,三星分别将读取和写入数据时的功耗分别降低30%和50%。 而有了以上的几项新技术,其所生产出的QLC第九代V-NAND存储器,三星计划未来将使用这些QLC V-NAND存储器来制造消费性和服务器应用的SSD,以及用于移动设备的UFS储存。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示,在TLC版本推出仅四个月后,QLC第9代V-NAND随即成功量产,这使三星能够提供全系列先进的SSD解决方案,满足AI时代的需求。 随着企业级SSD市场快速增长,对AI应用的需求不断加强,三星也将继续藉由QLC和TLC的第9代V-NAND存储器来巩固三星在该领域的领先地位。