三星完成突破性400层NAND技术开发

来源：全球半导体观察整理 2024-12-09 11:47:00

近日，据市场最新消息，三星电子已在其半导体研究所成功完成其突破性400层NAND技术的开发。三星于11月开始将这项先进技术转移到平泽P1厂的量产线上。这一重要里程碑使三星处于NAND闪存技术的前沿，因为它准备与SK海力士等行业对手竞争，后者已宣布量产321层NAND。

三星电子计划于2025年2月在美国举行的ISSCC（国际固态电路会议）2025上提供有关其1Tb容量400层三级单元（TLC）NAND的详细公告。这种先进NAND的量产预计将于明年下半年开始，尽管一些行业专家预测，如果加快这一进程，生产可能会在第二季度末开始。

除了400层NAND，三星电子明年还将增加其先进产品线的产量。该公司计划在平泽园区安装新的第9代（286层）生产设施，每月产能为3万~4万片晶圆。此外，三星西安工厂将继续将128层（V6）NAND生产线转换为236层（V8）产品工艺。

400层NAND的开发代表了NAND闪存技术的重大飞跃，该技术已从传统的平面（2D）NAND发展到3D NAND。该技术涉及垂直堆叠存储单元以提高存储密度和效率。三星为400层NAND引入“三重堆叠”技术，该技术涉及将存储单元堆叠成三层，标志着该领域的重大进步。

封面图片来源：拍信网

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