三星完成HBM4逻辑芯片设计，采自家4纳米制程

韩国朝鲜日报消息，三星DS部门存储器业务部最近完成HBM4高带宽存储逻辑芯片的设计，Foundry业务部方面也已经根据该设计，采4纳米试产。 待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星将提供HBM4样品验证。

逻辑芯片也称基础裸片，对整体HBM堆叠发挥大脑作用，负责控制上方多层DRAM芯片。 HBM4 世代，存储器堆叠 I/O 引脚数量倍增，需整合更多功能等一系列因素，使得全球三大内存原厂均采用逻辑半导体代工制造来逻辑芯片。

报道引用韩国市场人士说法，执行工作时发热是HBM最大敌人，而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户，采先进制程有助改善HBM4能效与性能表现。

三星试图HBM4采取更积极路线，以挽回HBM3E流失的HBM市占。 除自家4纳米制造逻辑芯片外，HBM4还导入10纳米级1c制程生产DRAM，有望16层堆叠导入无凸块混合键合。