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【材料/设备】募资不超过6.35亿元 南大光电加码布局光刻胶与三氟化氮

来源:全球半导体观察    原作者:echo    

日前,南大光电披露其《2020年度向特定对象发行股票预案》。预案显示,南大光电拟向不超过35名特定对象发行股票,募集资金总额不超过6.35亿元(含本数),扣除发行费用后的净额将用于光刻胶项目、扩建2000吨/年三氟化氮生产装置项目以及补充流动资金。

(图片来源:截图于南大光电公告)

其中,光刻胶项目总投资额6.60亿元,拟使用募集资金金额1.50亿元,项目目标到2021年底,将在我国:1)首次建立ArF光刻胶产品大规模生产线,形成年产25吨ArF(干式和浸没式)光刻胶产品的生产能力,产品性能满足90nm-14nm集成电路制造的要求。产品通过IC芯片制造企业的使用认证,实现批量销售;2)建立国内第一个专业用于ArF光刻胶产品开发的检测评估平台。平台配备ArF光刻机、涂胶显影一体机、特征尺寸扫描电镜、缺陷检测和分析等检测设备,满足先进光刻胶产品和技术开发的需求;3)建立一支具有国际水平的先进光刻胶产品开发和产业化队伍。

该项目的实施单位为南大光电子公司宁波南大光电材料有限公司,建设内容包括“先进光刻胶及高纯配套材料的开发和产业化”和“ArF光刻胶产品的开发和产业化”。前者完全达产后,将建成光刻胶研发中心、先进光刻胶的分析测试中心,以及年产350吨的高纯显影液的生产线;后者完全达产后,将建成年产5吨ArF干式光刻胶的生产线、年产20吨ArF浸没式光刻胶的生产线以及年产45吨的光刻胶配套高纯试剂的生产线。

公告指出,光刻胶及配套试剂在晶圆制造材料中合计占比约12%,为第4大晶圆制造材料,且其技术开发难度大,被誉为半导体材料“皇冠上的明珠”。目前国内光刻胶生产产能主要集中在PCB光刻胶、LCD光刻胶等中低端产品,但高端光刻胶中ArF浸没式光刻胶是集成电路28nm、14nm乃至10nm以下制程的关键,而我国高端光刻胶几乎处于空白状态。南大光电已率先制备出国内首款ArF光刻胶产品,但目前尚未量产。

南大光电表示,本次募投项目实施完毕后,将实现国产先进光刻胶及配套材料的进口替代,有助于解决高端光刻材料“卡脖子”的问题;推进公司光刻胶业务布局,实现国内高端光刻胶零的突破,提升我国高端光刻胶这一领域的自主可控水平。

此外,扩建2000吨/年三氟化氮生产装置项目拟投资3亿元,扩建2000吨/年三氟化氮生产装置项目,包括:5#三氟化氮电解厂房、6#三氟化氮电解厂房、3#三氟化氮后处理厂房。项目的实施单位为山东飞源气体有限公司。

公告指出,2019年11月,公司开始布局含氟电子特气业务,完成了对飞源气体的收购。公司通过本次募投项目的实施,将扩大三氟化氮气体产能,从而深化含氟电子特气领域投资布局,增强对公司集成电路客户的服务能力,扩大公司产品的市场份额,参与含氟电子特气全球竞争,保持公司在电子特气领域的领先地位和市场竞争力。

封面图片来源:拍信网