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佳能纳米压印光刻设备或应用于3D NAND工艺制造

来源:全球闪存市场       

据英国《金融时报》报道,佳能表示,首批客户将于今年或明年收到第一台NIL设备,不过这将用于试运行。

报道称,这些新设备的工作原理是在晶圆上压印印记,而不是使用典型的光刻技术进行光学刻录,据称与行业巨头ASML的EUV设备相比,其能耗降低了90%。

去年,佳能推出了首款纳米压印光刻(NIL)设备,该设备可以与ASML的极紫外(EUV)和先进的深紫外(DUV)光刻系统竞争。

佳能光学产品业务负责人Hiroaki Takeishi表示,希望佳能能够在2024年和2025年开始发货这些设备。这项独特的技术将有助于制造简单、低成本的尖端芯片。

根据报道,佳能首先会将应用目标放在3D NAND工艺制造,而不是更加复杂的微处理器。

佳能表示,其纳米压印光刻机的战略不是取代晶圆厂的DUV和EUV工具,而是与现有工具共存。

封面图片来源:拍信网