英特尔启用 High-NA EUV，至今处理超过 3 万片晶圆

英特尔（Intel）日前产业会议透露，开始用两台阿斯麦（ASML）High-NA Twinscan EXE：5000 EUV光刻机。 英特尔工程师 Steve Carson 表示，奥勒冈州Hillsborough附近 D1 工厂开始用ASML 两台 High-NA EUV，至今处理达 3 万片晶圆。

每台High-NA EUV成本高达3.5亿欧元，英特尔更是全球第一家安装High-NA EUV的主要芯片商。 英特尔接下来几年将用它们生产Intel 14A芯片。

领先竞争对手使用新制造工具非常重要，因能使英特尔开发各种 High-NA EUV 技术（如光罩玻璃、光罩保护膜、化学品等），最终可能成为行业标准。 ASML 准备据英特尔工程师回馈开发 Twinscan EXE：5000 High-NA EUV，可能会使英特尔更具竞争优势。

英特尔表示新系统「比旧型号更可靠」，虽报导未详细说明ASML Twinscan EXE：5000是否比2013年生产Twinscan NXE：3300更可靠，或比量产型号Twinscan NXE：3600D /NXE：3800E更可靠。 考虑到ASML对NXE和EXE用类似光源，可能正如英特尔所说，非常可靠。

ASML Twinscan EXE High-NA EUV 只需一次曝光即可达成低至8 纳米的分辨率，与一次曝光13.5 纳米分辨率一般标准EUV 相较，是重大改进。 前代一般标准EUV仍可双重曝光达8纳米分辨率，但会拉长生产周期，并影响良率。

与一般标准EUV相较，High-NA EUV将曝光范围缩小一半，需芯片开发人员更改设计。 有鉴于 High-NA EUV 微影系统成本和特殊性，所有芯片商都采用不同策略。 英特尔成为第一个用户后，对手台积电更谨慎。