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【功率器件】晶圆代工龙头联电布局第三代半导体领域

来源:化合物半导体市场       

12月29日,据台媒报道,联电已通过投资联颖,切入第三代半导体领域。联电计划从6英寸氮化镓产品入手,之后将展开布局碳化硅,并向8英寸晶圆发展。公司透露,第三代半导体制程将从CMOS转换而来,未来将伺机扩产。

联电表示,公司早已开始布局第三代半导体,并且与比利时微电子研究中心(IMEC)进行技术研发合作,现正积极将相关技术朝平台化发展,为IC设计业者提供标准化的技术平台。

针对这项技术平台的建立,联电将会以提供功率、射频元件方案为主,初期会以氮化镓技术先行。

IMEC是全球知名独立公共研发平台、半导体业内指标性研发机构,英特尔、三星、台积电、高通等均与其有合作。

目前,氮化镓代工市场以台厂布局最为积极。台积电、世界先进等传统硅晶圆Foundry正在向这个市场靠拢,另外还包括X-Fab等特种工艺Foundry。

从氮化镓功率产业链来看,目前GaN-on-Si已成为GaN功率器件主流结构。

外延方面,全球主流GaN外延片供货商依旧集中在欧洲国家及日本,中国企业尚未进入供给端第一梯队。除了纯粹的外延厂以外,部分晶圆代工厂在产业链上进行延伸,同样具备外延能力。

器件方面,面向消费市场的650V GaN产品已经形成了批量供货能力,但更高压器件仍然较少。

根据TrendForce集邦咨询分析,Navitas/PI/英诺赛科将占据2021年GaN功率市场前三名。与此同时,全球GaN功率市场规模预计将从2020年的4800万美元增长到2025年的13.2亿美元,CAGR达94%。

从氮化镓射频产业来看,目前具备相应技术的代工厂主要有Wolfspeed、稳懋、宏捷科、GCS、UMS、OMMIC等。

日前,硅晶圆厂商环球晶宣布,明年将大幅扩产第三代半导体,氮化镓及碳化硅产能均将翻倍增长。

原标题:从6英寸向8英寸氮化镓发展!又一家晶圆代工龙头进军第三代半导体

封面图片来源:拍信网