来源:集邦化合物半导体
9月17日,日本碍子株式会(NGK,下文简称日本碍子)在其官网宣布,已成功制备出直径为8英寸的SiC晶圆,并表示公司将于本月低在美国ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圆及相关研究成果。
6英寸SiC晶圆(source:日本碍子)
公开资料显示,日本碍子成立于1919年5月5日,主要业务包括制造和销售汽车尾气净化所需的各种工业用陶瓷产品、电子及电气设备用陶瓷产品、特殊金属产品、蓄电系统、绝缘子和电力相关设备等。
除了展示8英寸SiC晶圆以外,日本碍子还将披露“在多种衬底上生长低BPD密度4H-SiC单晶的新方法”。
日本碍子表示,减少SiC衬底中的BPD是提高SiC功率器件产量和可靠性的重要手段。公司开发出了一种工艺,利用其陶瓷加工技术在多个衬底上生长具有低BPD密度的4H-SiC晶体。
今年3月,日本碍子表示,通过该工艺,其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同时生长了9个晶体的实验。
除了碳化硅,日本碍子在氮化镓(GaN)方面也有布局。
早在2012年,日本碍子便在其他研究机构的协助下,在开发出来的GaN晶圆上制造了LED元件,并进行了发光性能试验。据介绍,日本碍子的GaN晶片采用其专有的液相晶体生长法生产,整个晶圆表面的BPD密度大幅降低。
source:日本碍子
目前,日本碍子已开发出用于激光二极管等光源器件的2英寸GaN晶圆的量产结构。日本碍子现正开发射频器件和功率器件应用,努力进一步增大直径并降低位错密度,旨在早日开发出量产结构。
封面图片来源:拍信网