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镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用

来源:集邦化合物半导体    原作者:Zac    

据镓仁半导体官微消息,镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备,预计将显著提升产能,以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延片的增长需求。

据介绍,在二期工厂中,镓仁半导体自主研发并对外销售的垂直布里奇曼法(VB法)氧化镓专用长晶炉已进线,而且在现有基础上对工艺进行持续优化。

官网资料显示,成立于2022年9月,目前坐落于杭州市萧山区机器人小镇,是一家专注于宽禁带半导体材料(氧化镓等第四代半导体)研发、生产和销售的科技型企业。

镓仁半导体产品包括不同尺寸、晶向和电阻率的氧化镓抛光片,可定制的氧化镓籽晶等。产品主要应用于面向国家电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信等领域的电力电子器件。

业务进展方面,9月20日,镓仁半导体发布其首台氧化镓专用晶体生长设备。该设备不仅满足氧化镓晶体生长的各项需求,还集成了多项自主创新技术。

今年以来,镓仁半导体持续在氧化镓技术方面取得突破。4月,镓仁半导体推出了2英寸晶圆级(010)氧化镓半绝缘单晶衬底,并实现了2英寸(010)氧化镓单晶衬底的自主量产,打破了国际垄断;7月,镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底;9月上旬,镓仁半导体宣布成功研制超薄6英寸氧化镓衬底,衬底厚度小于200微米。