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氧化镓相关资讯

碳化硅风头正劲,小心!氧化镓蓄势待发

近期,媒体报道进化半导体完成近亿元人民币融资。据悉,进化半导体是以国际首创无铱工艺制备超宽禁带材料氧化镓为特色的化合物半导体...

碳化硅 第三代半导体 氧化镓

功率器件

西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片

近日,西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片...

半导体材料 第三代半导体 氧化镓

材料/设备

刘鹤调研IC企业;DRAM厂商排名;国内首颗6英寸氧化镓单晶出炉

TrendForce集邦咨询研究显示,2022年第四季DRAM产业营收122.8亿美元,环比下降32.5%,跌幅甚至超越第三季的28.9%,已逼近2008年...

DRAM IC设计 氧化镓

一周热点

中国首颗6英寸氧化镓单晶成功制备,第四代半导体呼啸而来

近日,中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶,达到国际最高水平。据“中国电科”消息,中国电科46所氧化...

功率半导体 第四代半导体 氧化镓

功率器件

中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管

近日,中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展,分别采用氧气氛...

晶体管 功率半导体 氧化镓

功率器件

中科院院士郝跃:未来10年氧化镓器件有望直接与碳化硅器件竞争

近日,中科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)...

半导体材料 半导体元器件 氧化镓

功率器件

中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展

近日,第68届IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM,国际电子器件大会)在美国旧金山召开。IEEE IEDM是一个年度微电子...

功率半导体 半导体元器件 氧化镓

功率器件

国产4英寸氧化镓晶圆衬底技术获突破!

近期,北京铭镓半导体使用导模法成功制备了高质量4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶...

晶圆 化合物半导体 氧化镓

材料/设备

抢占竞争制高点?国内氧化镓功率器件研发取得重要进展

近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展...

半导体材料 功率半导体 氧化镓

功率器件

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