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【制造/封测】利普思半导体获近亿元A轮融资,聚焦高可靠性SiC和IGBT模块

来源:全球半导体观察整理       

近日,高性能SiC(碳化硅)模块企业“利普思半导体”宣布完成近亿元人民币A轮融资。本轮融资由德联资本领投,沃衍资本、飞图创投跟投。该轮资金将主要用于公司无锡与日本研发设备投入,以及研发投入、管理运营和市场推广。

据官方资料披露,利普思成立于2019年,专注高性能SiC与IGBT功率模块的研发、生产和销售,拥有创新的封装材料和封装技术,为新能源汽车、氢能车、光伏等行业应用的控制器提供小型化、轻量化和高效化的功率模块解决方案。目前,公司已经申请专利26项,其中发明专利13项。

该公司使用的封装材料以及加工技术,致力于为新能源车电驱动系统和逆变器的小型化、高效化和轻量化,提供完整的模块应用解决方案。满足高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体模块需求。

值得一提的是,今年7月,无锡利普思半导体有限公司投资建设的第三代功率半导体SiC模块封装线项目在无锡滨湖区开工,该项目计划引进2条自动化程度较高的先进第三代功率半导体SiC模块封装生产线,包含全自动银烧结机、真空焊接机、全自动端子机、测试机等进口设备。达产后可形成年产模块产能50万台的生产能力。

封面图片来源:拍信网