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【制造/封测】徐州致能半导体氮化镓及其共封装器件研发生产项目预计今年11月投产

来源:全球半导体观察整理       

据徐州日报报道,徐州致能半导体有限公司(以下简称“致能半导体”)运营总监朱解冰表示,今年11月,致能半导体氮化镓及其共封装器件研发生产项目预计可正式投产,当年的销售额预计可达到2000万元。

朱解冰还表示,去年1月,致能半导体上马的氮化镓及其共封装器件研发生产项目正式开工建设,11月进入联调联试阶段,目前正在进行研发试验片的试生产。目前,130名员工全部复工,生产线处于满线生产状态,研发试验片的月产量能达到1000多件。

据介绍,致能半导体自主研发的氮化镓芯片共封装技术可把氮化镓功率芯片与硅驱动芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封装在一起,形成氮化镓芯片共封装器件,能有效降低氮化镓芯片与其它芯片之间传统PCB板连接导致的延时较长、寄生电感较大、干扰严重等问题,发挥氮化镓芯片的高频优势。

封面图片来源:拍信网