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ASML与三星签署备忘录,预计共同在韩国建立研究中心

来源:全球半导体观察整理       

光刻机大厂ASML宣布,与韩国三星电子签署备忘录,将共同投资1万亿韩元在韩国建立研究中心,并将利用下一代极紫外(EUV)光刻机研究先进半导体制程技术。 

值得一提的是,上个月初有消息表示,三星电子在五年内从ASML采购50套设备,每套单价约为2000亿韩元,总价值可达10万亿韩元。

三星电子于2022年6月推出了全球首个采用全栅极(GAA)技术的3纳米半导体芯片制程技术后,三星一直在努力确保能采购更多EUV光刻机,目标是使该公司能在2024年上半年进入第二代3纳米制程技术,2025年进入2纳米制程技术,并在2027年进入1.4纳米半导体制程技术领域。

正因如此,三星集团董事长李在镕在2022年6月访问了ASML总部,与ASML执行长Peter Bennink讨论了EUV的采购问题,并在同年11月与访问韩国的Peter Bennink进行了进一步会谈。鉴于EUV光刻机从下订到交货的时间至少需要一年,当时的会面讨论开始在现在开花结果。

另外,先前ASML也曾经表示,计划在2023年底前发表首台商用High-NA (NA=0.55) EUV光刻机,并在2025年量产出货。这使得自2025年开始,客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化,切换到数值孔径为0.55 High-NAEUV单一图案化,降低制程成本,提高产量。目前,预估 High-NA EUV 曝光季将会有五大客户,包括英特尔、台积电、三星、美光等。

封面图片来源:拍信网