注册

产能翻一番,全球再添12英寸晶圆产线!

来源:全球半导体观察    原作者:Niki    

当地时间4月11日,为增加IGBT等功率半导体产品产能,日本半导体大厂瑞萨电子正式重启此前已经关闭的甲府工厂。

瑞萨电子表示,因看好不断增长的电动汽车(EV)市场需求,为了增加功率半导体产能,已重启甲府工厂,并于当日举行了开幕典礼。

资料显示,在2014年停止运营之前,甲府工厂拥有6英寸和8英寸晶圆产线。2022年5月,为了应对日益增长的功率半导体需求,瑞萨电子宣布重新启用该工厂。

2022年,瑞萨电子对该工厂进行了价值900亿日元的投资,并导入功率半导体专用的12英寸产线。

瑞萨电子表示,此次重启进行试产等作业后,甲府工厂将在2025年开始大规模生产IGBT和MOSFET等功率半导体产能,使瑞萨电子目前的功率半导体产能翻一番。 

当前,在消费电子、5G通讯、新能源汽车、数据中心以及光伏等产业需求的不对推动下,碳化硅、氮化镓等第三代化合物半导体市场规模开始爆发。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询此前的调查显示,2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元,年成长41.4%。受惠于下游应用市场的强劲需求,TrendForce集邦咨询预期,至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元,其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。

氮化镓方面,到2026年,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长至13.3亿美金,复合增长率高达65%。集邦咨询预计至2025年左右,GaN将小批量地渗透到低功率OBC和DC-DC中,再远到2030年,OEM或考虑将该技术引入牵引逆变器。

封面图片来源:拍信网